Samsung анонсировала 40-нанометровые микросхемы памяти
Новости Железо
Компания Samsung сообщила о создании первой в мире микросхемы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), изготовленной с применением 40-нанометровой технологии.
Как сообщает Informationweek, были продемонстрированы образцы 40-нанометровых микросхем DDR2 емкостью 1 гигабайт, а также модули DDR2-800 SODIMM объемом 1 Гб. Эти микросхемы уже сертифицированы для работы совместно с набором системной логики Intel GM45 Express, который предназначен для использования в ноутбуках.
Массовое производство микросхем памяти по 40-нанометровой технологии Samsung планирует начать в конце текущего года, при этом на начальном этапе будут поставляться модули DDR3 емкостью 2 ГГб. В 2010 году начнутся поставки микросхем DDR2, изготовленных с использованием 40-нанометрового техпроцесса.
Отмечается, что микросхемы памяти, изготовленные по 40-нанометровой технологии, обладают на 30% меньшим энергопотреблением по сравнению с микросхемами, произведенными с использованием 50-нанометрового техпроцесса, что позволит несколько увеличить время автономной работы ноутбуков.
|
Все рубрики статей (3177 / 265):
|
|
