В России разрабатывают флэш-память, которая будет в тысячи раз быстрее современной

Ученые новосибирского Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН работают над созданием принципиально нового поколения флэш-памяти - способа хранения цифровой информации. Так называемая резистивная флэш-память будет работать в тысячу раз быстрее и в миллион раз надежнее, что увеличит долговечность флэш-накопителей и сократит частоту зарядки мобильных устройств. Как сообщает 30 августа ТАСС, об этом агентству рассказал главный научный сотрудник ИФП, доктор физико-математических наук Владимир Гриценко.

"Обычная флэш-память выдерживает порядка 10 тыс. циклов "запись-стирание", потом она деградирует, а резистивная память, которую мы разрабатываем, позволит делать в миллион раз больше циклов: микросхемы будут более надежными", - сказал он.

Кроме того, по словам ученого, такая память потребляет меньше энергии, поэтому мобильный телефон или планшет, в котором она установлена, будет дольше работать в автономном режиме. С другой стороны, можно, уменьшив объем аккумулятора, сократить габариты и вес устройства.

Другим преимуществом резистивной памяти является возможность наращивания объема хранимой информации. "Она позволяет сделать микросхему с характерным размером элемента памяти объемом 5 нм, что дает возможность увеличить информационную емкость микросхем до 1 терабита. Это позволит увеличить объем памяти в несколько раз", - пояснил ученый.

Автор:	Softodrom.ru
Дата:	30.08.2016 15:24